Anasayfa / Teknoloji / Mıt, Yeni Transistör Tasarımı ile Elektronikte Kuralları Değiştirebilir

Bursa Gündem Haber
Teknoloji
Mıt, Yeni Transistör Tasarımı ile Elektronikte Kuralları Değiştirebilir

51 kez okunmuştur Yayınlanma Tarihi: 29 Temmuz 2024 01:06 - Güncelleme Tarihi: 29 Temmuz 2024 01:06 51 29 Temmuz 2024

Mıt, Yeni Transistör Tasarımı ile Elektronikte Kuralları Değiştirebilir

BEĞENDİM

ABONE OL

News

Bundan birkaç yıl önce yine MIT (Massachusetts Teknoloji Enstitüsü) araştırmacıları tarafından ultra ince ferroelektrik gereç ya da müspet ve negatif yüklerin farklı katmanlara ayrıldığı bir materyal geliştirilmişti. Şimdi ise aynı ekip tarafından bu materyal kullanılarak yeni bir transistör inşa edildi. Araştırmacılar elektronik sanayisinde köklü bir değişim yapabileceğine dikkat çekiyor.

Çalışmayı yürüten araştırmacılardan birisi olan fizik profesörü Raymond Ashoori, yaptığı açıklamada “Fizikteki tüm mesleğimi düşündüğümde, bundan 10 ila 20 yıl sonra dünyayı değiştirebileceğini düşündüğüm çalışma bu.” diyor. Ekip, sonuçlarının laboratuvardaki tek bir transistöre dayanmasına rağmen, bugün üretilen ferroelektrik transistörleri çeşitli istikametlerden geride bırakabildiğini belirtiliyor.

Öte yandan transistörün üstün özellikleri arasında olumlu ve negatif yükler arasında çok yüksek süratlerde, nanosaniye zaman ölçeklerinde geçiş yapabilmesi bulunuyor. Bununla birlikte yeni transistörün son derece güçlü olduğu ve 100 milyar anahtarlamadan sonra bile herhangi bir bozulma göstermediği bildiriliyor.

Bunları mümkün kılan gereç ise metrenin milyarda biri kalınlığında, yani dünyadaki cinsinin en incelerinden biri. Bu da çok daha yoğun bir depolamayı mümkün kılıyor. Materyal enerji verimliliği tarafında da avantajı. Çünkü anahtarlama için gereken voltaj materyal kalınlığı ile doğru orantılıdır. İncelik artarsa enerji tüketimi de düşme eğilimi göstermekte.

MIT ne yaptı?

Ferroelektrik gereçlerde, müspet ve negatif yükler tabiatıyla farklı taraflara veya kutuplara yönelme eğilimindedir. Harici bir elektrik alanı uygulandığında, bu yükler kutuplaşmayı tersine çevirerek taraf değiştirir. Polarizasyonun değiştirilmesi dijital bilgiyi kodlamak için kullanılabilir. Ayrıca bilgi, sabit bir şekilde bu materyallerde korunabiliyor ve bir elektrik alanı uygulanmadığı sürece değiştirilemiyor. Ancak tüm bunların oda sıcaklığında gerçekleşmesi gerekiyor ki aşılması gereken bir konu da bu.

MIT grubunun geliştirdiği ferroelektrik gereç, birbirine paralel olarak istiflenmiş atomik olarak ince bor nitrür katmanlarına dayanıyor. Bu yapıya elektrik alanı uygulandığında bor ve nitrojen atomlarının pozisyonları güya birbirlerinin üstünden kayarak yavaşça yer değiştiriyor. Bu süreçte ise herhangi bir bozulma yaşanmıyor ve 100 milyar kez değişim uygulanabiliyor. Bilindiği üzere klâsik flash belleklerde bilgiyi her yazıp sildiğinde bir miktar bozulma yaşanıyor. Bunun önüne geçmek ve etrafından dolaşmak için karmaşık prosedürler kullanılıyor. Yeni gereç bunları elimine ediyor.

Görünüşte sınırsız potansiyeline rağmen, teknolojinin yaygın olarak benimsenebilmesi için çözülmesi gereken bazı zorluklar bulunuyor. Bunlardan birisi üretim. Ekip, testleri ve çalışmayı gerçekleştirmek için sadece tek bir transistör üretti. Araştırma ekibi ayrıca ferroelektriği optik atımlar gibi alternatif metotlarla tetiklemeyi ve diğer olasılıkların yanı sıra gerecin anahtarlama yeteneklerinin sınırlarını test etmeyi de araştırıyor.

Diğer Teknoloji Haberleri İçin Tıklayın / Bursa Haber – Bursa Gündem – Bursa Gündem Haber – Bursa Haberleri – Bursa Son Dakika

Bizi İnstagram’da Takip Edebilirsiniz / @BursaGündemHaber

Bizi X’de Takip Edebilirsiniz / @BursaGündemHbr

Bizi Facebook’da Takip Edebilirsiniz / @BursaGündemHaber

Bizi Youtube’da Takip Edebilirsiniz / @BursaGündemHaber

Bizi Linkedin’de Takip Edebilirsiniz / @BursaGündemHaber